Справочные данные без цен, корзины и коммерческих предложений.
Краткие технические характеристики — Измеритель характеристик п/п приборов предназначен для визуального наблюдения статических вольт-амперных характеристик п/п…
Краткие технические характеристики — Испытатель маломощных транзисторов и диодовF изм : 1 кГц. Пределы измерения: I обр : (0,01?100) мкА. h 21б : 0,9?1 (ток тр…
Цена: б/у — 4000
Краткие технические характеристики — Для определения работоспособность маломощных полевых транзисторов всех типов . Пределы измерения: крутизны хар-ки(на часто…
Цена: б/у — 5000
Краткие технические характеристики — Испытатель линейных интегральных схем Диапазон измерения:U== (0...30) В+ 5 %,I== (0.3...30) мА+ 5 %,Uсм= (0...30) мВ+ 5 %,…
Краткие технические характеристики — Прибор для измерения токов утечки . Измеряет параметры полевых транзисторов всех типов. Замеряет прибор Л2-31. Диапазон из…
Краткие технические характеристики — Измеритель параметров полупроводниковых приборов и интегральных микросхем Заряд переключения(3...3000) пКл + 10 %,U перекл…
Краткие технические характеристики — Измерение ВЧ транзисторов всех типов F: 100 МГц, h21э 1...16+ 15 %,Режимы измерения:Uкб 2-3-4-5-6-10-12--15-20-24-30 В,Iэ…
Краткие технические характеристики — Измерение параметров мощных транзисторов всех типов. Г.: 491х256х356 и 125х133х201, М. 23 кг. З аменяет Л2-13,69,79
Краткие технические характеристики — Измеритель параметров полупроводниковых приборов и интегральных микросхем + (0,1...30) В с + 4 %, Замена Л2-60
Краткие технические характеристики — Измеритель параметров полупроводниковых приборов и интегральных микросхем 100; 250; 400 МГц, П ределы измерения: (0,5...30…
Краткие технические характеристики — Измеритель параметров полупроводниковых приборов и интегральных микросхем (3...1000) нс с + 5 %,U вх,вых = (0,5...10) В
Краткие технические характеристики — Измеритель параметров полупроводниковых приборов и интегральных микросхем 10 МГц + 10 %, Пределы измерения С 11s , C 22s =…
Краткие технические характеристики — Измеритель параметров полупроводниковых приборов и интегральных микросхем 1 кГц;10;20;50;100 МГц, Д иапазон измерения: (0,…
Краткие технические характеристики — Измеритель параметров полупроводниковых приборов и интегральных микросхем Пределы измерения: I gss (0,3*10 -12 ...10 -5 )…
Краткие технические характеристики — Измеритель параметров полупроводниковых приборов и интегральных микросхем Пределы измерения: С е , С с (0,3...1000) пФ с +…
Краткие технические характеристики — Испытатель СВЧ диодовПределы измерения соотношения динамических сопротивлений диодов в рабочей точке R дин : (100?5000) Ом…
Масса — 7,5 кг
Краткие технические характеристики — Измеритель параметров полупроводниковых приборов и интегральных микросхемПределы измерения: I 1 и I 2 (0,1...120) мА с + 1…
Краткие технические характеристики — Измеритель параметров полупроводниковых приборов и интегральных микросхем Пределы измерения : h 21 : (0,9...1) с + 5 %,h 2…